GaNonCMOS – Nächste Schritte zur POL-Integration

3D-PCB-Diagramm mit Komponenten und Schichten
Kleinere und effizientere Stromwandler sind seit Jahrzehnten ein zentrales Entwicklungsziel und werden es voraussichtlich auch in Zukunft bleiben. Dies wird durch neue Topologien, Materialien und Integrationsprozesse ermöglicht. Die Integration neuer Materialien stand im Fokus des europäischen Forschungsprojekts Horizon 2020, das die Entwicklung von GaN-on-Silicon (GaN-on-SOI) unterstützte. Ziel des GaNonCMOS-Projekts war die dichte Integration von GaN und Si auf verschiedenen Ebenen (PCB, Stack und Chip) sowie die Entwicklung neuer weichmagnetischer Materialien für hohe Schaltfrequenzen und die PCB-Einbettung.

Im Gegensatz zum „Mainstream“-Einsatz von GaN-Materialien im 650V-Bereich lag das Interesse des Projekts bei DC/DC-Wandlern mit geringer Leistung im Bereich unter 100V für Serveranwendungen sowie für die Automobil- und Luftfahrtindustrie. Elf führende Industrieunternehmen und Forschungsinstitute aus Österreich, Belgien, Deutschland, den Niederlanden und Irland nahmen an diesem Projekt teil. Die RECOM-Gruppe beteiligte sich an der Entwicklung dieser neuen Technologien und verfolgte damit das Ziel, innovative, integrierte (3DPP®) und zuverlässigere Lösungen im Bereich der Energieumwandlung anzubieten.

Einbettung

3D-Buck-Konverter-Design mit zentraler schwarzer Komponente
Abb. 1: Konstruktion eines Abwärtswandlers mit eingebetteter Ringkernspule mit Darstellung der Wicklungsschichten.
Ein Schwerpunkt des Projekts war die Einbettung von Komponenten in die Leiterplatte (PCB). Mit dieser Technik ist es möglich, eine oder mehrere Komponenten innerhalb des PCB-Kerns zu integrieren. Die größte Herausforderung hierbei ist die Dicke der Komponente und ihr Verhalten unter verschiedenen Umgebungsbedingungen. Einbettbare Bauteile können ICs, Schalter oder passive Komponenten sein – je nach Anforderungen des Designs. Durch den Einsatz von dicken Kupferebenen, die mit den Anschlüssen der eingebetteten Komponenten verbunden sind, lässt sich ein definierter Wärmepfad erzeugen. Die GaN-Power-ICs und MOSFET-Gehäuse können in unmittelbarer Nähe zueinander platziert werden, wodurch parasitische Induktivitäten reduziert und höhere Schaltgeschwindigkeiten ermöglicht werden.

Kleine passive Bauelemente wie Widerstände und Kondensatoren können in denselben Hohlraum eingebettet werden, während größere Komponenten wie Magnetkerne, Eingangs- oder Ausgangskondensatoren extern bleiben. Die FR4-Materialeigenschaften sorgen dafür, dass die Kondensatoren weniger von der Abwärme der Schalter oder ICs betroffen sind. Das 3D-Layout erhöht die Komplexität des Designs, bietet aber Vorteile wie kleinere Schalt- und Regelkreise, eine geringere Baugröße und Schutz gegen Reverse Engineering.

Ein weiterer Ansatz zur Optimierung ist die Reduzierung der PCB-Höhe. In einem Abwärtswandler (Buck-Converter) ist der Induktor häufig das höchste Bauteil. Wenn eine flache Lösung erforderlich ist, ist es oft schwierig, einen niedrigprofiligen Induktor zu finden. In diesem Projekt wurde daher die Einbettung von Magnetkernen als Alternative untersucht.

Das Problem der Induktorgröße wurde durch den Einsatz von magnetischen Plattenmaterialien gelöst. Sehr dünne (100–200 μm) Materialien mit spezifischen magnetischen Eigenschaften wurden in verschiedene Formen geschnitten und direkt auf der Leiterplatte platziert. Die PCB-Routing-Struktur bildete dabei eine Wicklung, wodurch sich ein flacher Induktor realisieren ließ. Mehrere Demonstratoren mit dieser Technologie wurden bereits entwickelt. Die ideale Lösung zur Platzersparnis besteht darin, dass die Induktorfläche ähnlich groß ist wie andere kleine Bauteile auf der PCB (siehe Abbildung 1). Die Abbildung zeigt eine Ringkernstruktur, bei der die Wicklungen in der inneren Schicht verlaufen, wodurch ein toroidaler Induktor entsteht (siehe Abbildung 2).

Seitenansicht eines 3D-Buck-Konverter-Designs

Abb. 2: Seitenansicht der Konstruktion eines Abwärtswandlers mit eingebetteter Ringkernspule, die das Magnetblech im Inneren der Leiterplatte zeigt.
Je nach verfügbarem Platz, benötigter Kopplung und Stromtragfähigkeit sind auch andere Formen und Wicklungsstrukturen möglich. Abbildung 3 zeigt beispielsweise einen 1:1-Transformator, der auf derselben Ringkernstruktur basiert. Der Vorteil eines eingebetteten Transformators liegt in der höheren Verschmutzungsresistenz sowie geringeren Kriech- und Luftstreckenanforderungen. Für höhere Induktivitätswerte und Ströme wächst der erforderliche Platzbedarf. Während der Einbettungsprozess von magnetischen Platten auf Flächen bis zu 10×10 cm getestet wurde, ist der Hauptanwendungsbereich vor allem bei niedrigen Strömen (bis zu 2A). Faktoren wie die Anzahl der Windungen beeinflussen den DC-Widerstand (DCR), was sich auf den Gesamtwirkungsgrad auswirkt.
3D-Ringkerntransformator-Design
Abb. 3: Beispiel der Konstruktion eines Ringkerntransformators mit klar getrennten Wicklungen.

Materialien und Zuverlässigkeit

Im Rahmen des Projekts wurden über 10 verschiedene magnetische Plattenmaterialien auf ihre Eignung für die Einbettung untersucht. Ähnlich wie bei Chip-Induktoren unterscheiden sich diese Materialien in ihren Eigenschaften. Die Platten werden unter hohem Druck eingebettet und in der Leiterplatte versiegelt. Langzeittests gemäß AEC-Q200-Standard wurden durchgeführt, um die elektrische Stabilität und mechanische Zuverlässigkeit zu prüfen. Dazu gehörten:

  • Temperaturwechseltest (2000 Zyklen)
  • Temperatur-Feuchtigkeits-Bias (1000 Stunden bei 85°C, 85% RH)
  • Hochtemperatur-Lagerung (1000 Stunden bei 125°C)
  • Tieftemperatur-Lagerung (1000 Stunden bei -55°C)
  • Hochbeschleunigter Stresstest (HAST) (96 Stunden bei 130°C, 85% RH)

Vergleich eingebetteter Magnetfolien

Abb. 4: Querschnitt der eingebetteten Magnetbleche mit Delamination (links) und ohne Delamination (rechts).

Nur wenige Materialien bestanden alle Tests ohne Verschiebung der Parameter oder Delamination innerhalb der Leiterplatte. Dieses Wissen hilft, Hauptprobleme in der Embedded-Technologie zu vermeiden, da einige Materialien während des Einbettungsprozesses reißen. Die meisten dieser magnetischen Platten eignen sich für Schaltfrequenzen zwischen 1MHz und 5MHz. Neben der Validierung bestehender Materialien wurde auch die Entwicklung neuer magnetischer Materialien für 20MHz-Schaltfrequenzen untersucht. Mehrere Versuche führten zu einer neuen, erfolgreich eingebetteten Materialmischung.

Integration auf Chipebene

Ein weiteres Ziel war die monolithische Integration eines GaN-Schalters mit einem CMOS-Treiber. Beide Technologien wurden innerhalb des Projekts entwickelt und mehrfach überarbeitet, um den elektrischen und physikalischen Anforderungen der Integration gerecht zu werden. Das Direct Wafer Bonding (DWB)-Verfahren ermöglicht das Verbinden zweier Wafer vor dem Dicing. Obwohl sich diese Technologie noch in der Erprobungsphase befindet, könnte sie eine wichtige Innovation in der Chipintegration darstellen. Durch die Kombination von zwei verschiedenen Halbleitermaterialien in einem Bauteil wird die parasitische Induktivität zwischen Treiber und Schalter eliminiert.

Dies ermöglicht extrem hohe Schaltfrequenzen im Bereich mehrerer hundert MHz, was zu einer drastischen Reduzierung der passiven Bauteilgröße führt – insbesondere bei Magneten und Kondensatoren. Das Ergebnis ist eine maximale Volumenreduktion für leistungsstarke DC/DC-Wandler.
Mitglieder des GaNonCMOS: Katholieke Univeriteit Leuven, University College Cork - National University of Ireland (Tyndall - UCC), Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung E.V, IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Leibniz-Institut für Innovative Mikroelektronik GmbH, EpiGan NV, IBM Research GmbH, AT&S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft AG, RECOM Engineering GmbH & CO KG, NXP Semiconductors Netherlands BV, X-FAB Semiconductor Foundries AG, PNO Innovation NV

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