不同于硅,SiC 和 GaN 技术尚不成熟,因此由于制造商的每一代产品都有性能改善,相关标准仍在不断变化。例如,市场上有不同制造商生产的第一代、第二代和第三代 SiC 器件,每一代都需要不同的电压组合来开启和关闭器件。
这对栅极驱动器和用于给栅极驱动器供电的隔离 DC/DC 转换器来说都是一个问题。这些 DC/DC 转换器通常使用内置变压器来实现隔离。变压器设计有固定的降压比,以供应适合所用栅极驱动器的偏置电压。
因此,需要两个 DC/DC 转换器:一个转换器为一个 SiC 器件提供 +15 V 和 -8 V 的开启和关闭电压;另一个转换器为另一个 SiC 器件提供 +15 V 和 -3 V 的电压。如果这两种组合都有现成的标准产品,则不成问题,但如果需要全新的 DC/DC 转换器设计,则可能会影响工作计划,并可能需要进行安全认证。由于产量较低,单位成本也有可能会上升。
这对栅极驱动器和用于给栅极驱动器供电的隔离 DC/DC 转换器来说都是一个问题。这些 DC/DC 转换器通常使用内置变压器来实现隔离。变压器设计有固定的降压比,以供应适合所用栅极驱动器的偏置电压。
因此,需要两个 DC/DC 转换器:一个转换器为一个 SiC 器件提供 +15 V 和 -8 V 的开启和关闭电压;另一个转换器为另一个 SiC 器件提供 +15 V 和 -3 V 的电压。如果这两种组合都有现成的标准产品,则不成问题,但如果需要全新的 DC/DC 转换器设计,则可能会影响工作计划,并可能需要进行安全认证。由于产量较低,单位成本也有可能会上升。