适用于栅极驱动的高隔离DC/DC转换器
DC/AC逆变器通常浮空几百电压。典型的隔离电压至少是工作电压的两倍。考虑到高开关速度和高浮空电压，需要高隔离转换器来驱动栅极驱动器，要保持高效率就需要高开关速度。光耦合器隔离控制信号，但还是需要在电源端有隔离层。无论IGBT、SiC MOSFET或GaN，RECOM的DC / DC转换器用于栅极驱动器是能延长这些DC/AC逆变器的寿命和可靠性的简易替换组件。
Power Supplies for
IGBT, SiC FET & GaN
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“在我们的合作伙伴生态系统当中，RECOM一直是最活跃、提供最多支持的公司之一。他们的电源模块是让我们快速地设计评估平台的主要原因，这样我们就可以将精力放在其他的设计上。”IGBT
- 紧湊型SIP7封装的RxxP2xx、RxxPxx、RP、RH & RKZ系列
- 薄型DIP14封装RV & RGZ系列和迷你型DIP24封装
- +15/-9V输出
- 高达6.4kVDC隔离
- 5V、12V或24V输入
- 1W或2W 额定输出功率
- 对称功率
- 86%效率
- +90°C工作温度
- EN认证
- 三年质量保证
SiC
- 紧湊型SIP7封装的RxxP21503D, RxxP22005D和RKZ-xx2005D系列
- +15/-3V和+20/-5V输出
- SMD RA3系列的输出电压是+15/-5、+15/-3或+20/-5V
- 6.4kVDC隔离
- 5V、12V、15V或24V输入
- 2W 额定输出功率 (RA3 是 3W)
- 对称功率或不对称电流输出
- 87%效率
- +90°C工作温度
- EN/IEC/UL认证
- 三年质量保证
GaN
- 紧湊型DIP14, DIP24和SIP7封装的RJZ, RK, RP, RV, RxxPxx, RxxP2xx系列
- +6V或+9V 输出
- SMD RA3系列的输出电压是+7/-1、+8V或+9V
- 6.4kVDC隔离
- 5V、12V、15V或24V输入
- 1W, 2W 额定输出功率 (3W for RA3)
- 83%效率
- +90°C工作温度
- EN/IEC/UL认证
- 三年质量保证
IGBT
RECOM的RH、RV、RP、RGZ、RKZ、RxxPxx和RxxP2xx DC/DC转换器系列是专为IGBT驱动电路所设计的。转换器具有+15V和-9V的非对称输出，使它们非常适合IGBT驱动器。以前需要两个转换器，而现在只需要一个。为了满足不同IGBT应用的需求，RECOM提供各种引脚和封装（SIP/DIP）的选择。系列 功率（W） 输入电压（V） 输出路数 主输出电压（V） 隔离电压 (kV) 1 
R12C2T25/R 重点 新2.5 9 - 18 Single/dual 5 2 
R15C2T25/R 重点 新2.5 13.5 - 18 Single/dual 5 3 
R24C2T25 重点2.5 21 - 27 Single/dual 3 4 
R24C2T25/R 重点 新2.5 21 - 27 Single/dual 5 5 
R9C1T18/R 重点 新3 8.5 - 18 Single/dual 5 6 
RGZ-xx1509 2 5, 12, 24 双路 15 / -9 3, 4 7 
RH-xx1509 1 5, 12, 24 双路 15 / -9 3, 4 8 
RKZ-xx1509 2 5, 12, 24 双路 15 / -9 3, 4 9 
RP-xx1509 1 5, 12, 24 双路 15 / -9 5.2 10 
RV-xx1509 2 5, 12, 24 双路 15 / -9 6 11 
RxxP1509 1 5, 12, 24 双路 15 / -9 6.4 12 
RxxP21509 2 5, 12, 24 双路 15 / -9 6.4 SiC
开关SiC MOSFET所需的导通电压和关断电压对其他的IGBT或MOSFET应用来说是不常见的。RxxP22005D和RKZ-2005D系列具备+20V和-5V非对称输出，可高效地驱动SiC MOSFET。而RxxP21503D系列提供的+15V和-3V非对称输出，则适用于第二代的SiC MOSFET。系列 功率（W） 输入电压（V） 输出路数 主输出电压（V） 隔离电压 (kV) 1
R12C2T25/R 重点 新2.5 9 - 18 Single/dual 5 2
R15C2T25/R 重点 新2.5 13.5 - 18 Single/dual 5 3
R24C2T25 重点2.5 21 - 27 Single/dual 3 4
R24C2T25/R 重点 新2.5 21 - 27 Single/dual 5 5
R9C1T18/R 重点 新3 8.5 - 18 Single/dual 5 6 
RA3 重点3 5, 12, 24 单路, 双路 15 / -3, 15 / -5, 20 / -5, 7 / -1, 8, 9 5.2 7 
RKZ-xx2005 2 5, 12, 15, 24 双路 20 / -5 3, 4 8 
RxxP21503 2 12, 15, 24 双路 15 / -3 6.4 9 
RxxP22005 2 5, 12, 15, 24 双路 20 / -5 6.4 您需要更多信息？
GaN
高转换速率的GaN晶体管驱动器使用具有高隔离电压和低隔离电容的RECOM RP-xx06S和RxxP06S DC/DC转换器系列，可在+6V达到最佳的切换性能。RECOM考虑到一些有较高噪声和干扰的GaN应用，设计出+9V输出的转换器，通过齐纳二极管将电路分成+6V和-3V以在关断时提供负栅极电压，从而确保栅极电压保持低于开启阈值。系列 功率（W） 输入电压（V） 输出路数 主输出电压（V） 隔离电压 (kV) 1 
R12C2T12/R 重点 新2.5 9 - 18 Single/dual 5 2
RA3 重点3 5, 12, 24 单路, 双路 15 / -3, 15 / -5, 20 / -5, 7 / -1, 8, 9 5.2 3 
RK 重点1 5, 12, 15, 24 单路 12, 15, 5, 9 3, 4 4 
RP 重点1 5, 9, 12, 15, 24 单路, 双路 12, 15, 24, 3.3, 5, 9, ± 12, ± 15, ± 24, ± 3.3, ± 5, ± 9 5.2 5 
RJZ 2 3.3, 5, 9, 12, 15, 24 单路 12, 15, 24, 3.3, 5, 9 3, 4 6 
RP-xx06 1 5, 12, 15, 24 单路 6 5.2 7
RV 2 3.3, 5, 9, 12, 15, 24 单路, 双路 12, 15, 24, 3.3, 5, 9, ± 12, ± 15, ± 24, ± 3.3, ± 5, ± 9 6 8 
RxxP06 1 5, 12, 15, 24 单路 6 6.4 9 
RxxP2xx 2 5, 12, 15, 24 单路, 双路 12, 15, 3.3, 5, 9, ± 12, ± 15, ± 3.3, ± 5, ± 9 6.4 10 
RxxPxx 1 5, 9, 12, 15, 24 单路, 双路 12, 15, 3.3, 5, 9, ± 12, ± 15, ± 3.3, ± 5, ± 9 6.4
