R-REF01-HB

半桥栅极驱动器电源参考设计 (RD) 包括一个适用于高达 1 kV 电压的半桥和一个为低侧和高侧开关晶体管提供隔离电源的完全隔离的驱动器级。它适用于低至 +4 V 的单栅极/驱动器电源电压，以及高达 +20 V / -5 V（最大 30 V）的双栅极驱动器电源电压，无最大占空比限制。

R-REF01-HB 设计套件中包含 R12P22005D、R12P21503D、R12P21509D 和 R12P06S DC/DC 模块各两个。

利用这些转换器，可以输出以下栅极驱动电压：

+20 V/-5 V

+15 V/-3 V 或 +18 V*

+15 V/-9 V

+6 V

* 对于单端 +18 V，请查看“文档和介质”选项卡上的修改说明。

注意：晶体管需要单独购买。

信号地与电源地电气隔离，可以连接到任何电位，只要其相对于电源电位（高侧和低侧）小于 2.5 kV 即可。限制条件是栅极驱动器 IC 规格。

最新消息：

Transform Inc. 最近发布了第四代 35 mΩ 650 V GaN FET，采用 TO-247 封装。RECOM 推荐将 R-REF01-HB 与 +15/-3 V 栅极驱动器电压结合使用，以充分发挥这种新型 SuperGaN™ 技术的性能。

Nexperia 最近发布了全新 650 V GaN 技术产品 (GAN063-650WSA & GAN041-650WSB)，采用 TO-247 封装。RECOM 推荐将 R-REF01-HB 与 +15/-3 V 或单个 +12 V 栅极驱动器结合使用。