RVP003S-FBN-R

  • 全桥拓扑结构
  • 高度集成,所需外围元件极少
  • 集成 30V / 0.25Ω N 沟道 MOSFET
  • 集成 30V / 0.60Ω P 沟道 MOSFET
  • 0.45A 限流钳位
  • 宽输入电压范围:6V~30V
  • 浪涌电压最高可达 38V
  • 可选内部时钟或外部频率同步
  • 使能引脚,支持关断控制
  • 集成软启动功能
  • 内置保护:持续短路保护、过温保护、自动恢复
  • 工作环境温度:-40°C~+125°C

RVP003 是一款变压器驱动芯片,专为需要极低待机功耗的紧凑型、低功率隔离电源而优化设计。只需搭配基础外围器件 —— 输入 / 输出滤波电容、隔离变压器及整流电路,即可构建一套完整的隔离电源方案:输入电压范围 6V~30V,支持多种输出电压可选,输出功率最高可达 2W。

RVP003 采用全桥拓扑结构,集成两颗 N 沟道与两颗 P 沟道 MOSFET。片内振荡器产生一对高精度互补信号,确保开关对称运行,避免工作过程中出现磁芯偏磁现象。

该芯片还支持频率同步功能,并集成多重保护机制。当 CLK 输入端接入外部时钟信号时,芯片将输出频率为输入时钟二分频的两路互补驱动信号。片内高精度死区控制电路可确保全桥功率开关在各种工作条件下不会同时导通,保证系统可靠运行。此外,RVP003 内置过流保护与过温保护,可在开关电源输出短路等异常工况下防止芯片损坏。

IC 与变压器组合方案,板载 / 分立器件任意选

  产品编号 功率(W) 隔离电压 (kV) 输入电压(V) 主输出电压(V) 原边 IC 变压器 副边 IC
1
1 3 24 15
特性 RVP003S-FBN-R
Product Category IC
输入电压(V) 6 - 30
主输出电压(V) 6 ‐ 30
输出电压范围(V) 6 - 30
MAX Iout (mA) 300
安装类型 SMD
封装类型 SOT23-6
长度 (mm) 3.02
宽度 (mm) 3
高度 (mm) 1.25
最低工作温度 (°C) -40
最高工作温度 (°C) 125
保护功能 OCP, OTP, OVP
指令 Halogen-free, REACH, RoHS 2+ (10/10)
包装类型 管装&卷装
工作模式 Current Mode
质保 1 Year
Config 1 Channel
拓扑结构 Full-Bridge
Number of Phases 1
MAX Duty Cycle (%) 100
Control Features External Clock
Functional Features Enable
MIN Switching Frequency (kHz) 50
MAX Switching Frequency (kHz) 1600
MIN Storage Temperature (°C) -55
MAX Storage Temperature (°C) 150

文件

标题 类型 日期
RVP003S.pdf Datasheet
RVP003s_SPICE.zip Simulation Model 2026-3-19
RVP003S.STEP 2D/3D 2025-10-13

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