RVP003 Series

  • Full Bridge Topology
  • Highly Integrated, Minimal External Components Required
  • Integrated 30V / 0.25Ω N-channel MOSFETs
  • Integrated 30V / 0.60Ω P-channel MOSFETs
  • 0.45A Current Limiting Clamp
  • Wide Input Voltage Range: 6V to 30V
  • Surges Voltage up to 38V
  • Optional Internal Clock or External Frequency Synchronization
  • Enable Pin for Power-Down Control
  • Integrated Soft-start Function
  • Built-in Protection: Continuous Short-circuit, Overtemperature, and Automatic Recovery
  • Ambient: -40°C~+125°C

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The RVP003 is a transformer driver optimized for compact, low-power isolated power supplies with minimal standby power consumption. It requires only basic external components input/output filter capacitors, an isolation transformer, and rectifier circuits to build an isolated power supply with an input voltage range of 6 to 30V, multiple output voltage options, and output power up to 2W. RVP003 integrates two N-channel and two P-channel MOSFETs configured in a full bridge topology. An internal oscillator generates a pair of high-precision complementary signals, ensuring symmetrical switching to prevent magnetic core bias during operation.The device also features frequency synchronization and multiple protection mechanisms. The RVP003 integrates frequency synchronization capability along with multiple protection features. When an external clock signal is applied to the CLK input, the device outputs two complementary drive signals at half the frequency of the input clock. An internal high-precision dead time control circuit ensures reliable operation by preventing simultaneous conduction of the full-bridge power switches under all operating conditions. Additionally, the RVP003 includes built-in overcurrent protection and overtemperature protection, safeguarding the device from damage in abnormal conditions such as output short circuits in the switching power supply.

Mounting Type
Package Style
Length (mm)
  • Min
  • Max
    • Width (mm)
  • Min
  • Max
    • Height (mm)
  • Min
  • Max
    •   Part Number Power (W) Vin (V) Vout 1 (V) Iout 1 (mA) Isolation (kV)
    1 RECOM | RVP003-FBN-CT | IC, SMD (pinless)
    Focus New
    		6 - 30
    2 RECOM | RVP003-FBN-R | IC, SMD (pinless)
    Focus New
    		6 - 30
    3 RECOM | RVP003S-FBN-CT | IC, SMD
    Focus New
    		6 - 30
    4 RECOM | RVP003S-FBN-R | IC, SMD
    Focus New
    		6 - 30

    Solutions based on this IC/Transformer combination (available board mounted or as individual components)

    Attributes RVP003
    Product Category IC
    Vin (V) 6 - 30
    Main Vout (V) 6 to 30
    Output Voltage Range (V) 6 - 30
    MAX Iout (mA) 300
    MIN Operating Temp (°C) -40
    MAX Operating Temp (°C) 125
    Protections OCP, OTP, OVP
    Directives Halogen-free, REACH, RoHS 2+ (10/10)
    Operating Modes Current Mode
    Warranty 1 Year
    Config 1 Channel
    Topology Full-Bridge
    Number of Phases 1
    MAX Duty Cycle (%) 100
    Control Features External Clock
    Functional Features Enable
    MIN Switching Frequency (kHz) 50
    MAX Switching Frequency (kHz) 1600
    MIN Storage Temperature (°C) -55
    MAX Storage Temperature (°C) 150
      Part Number Power (W) Vout 1 (V) Vin (V) Mounting Type
    1 RECOM | RVP003-FBN-CT | IC, SMD (pinless)
    Focus New
    		6 - 30 SMD (pinless)
    2 RECOM | RVP003-FBN-R | IC, SMD (pinless)
    Focus New
    		6 - 30 SMD (pinless)
    3 RECOM | RVP003S-FBN-CT | IC, SMD
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    		6 - 30 SMD
    4 RECOM | RVP003S-FBN-R | IC, SMD
    Focus New
    		6 - 30 SMD
    IoT 機器はバッテリー駆動時間を最大化するため、高効率・小型・低消費電力の DC/DC コンバータが適しています。
    産業用電源は信頼性、広い入力電圧範囲、各種保護機能、高効率を優先して設計する必要があります。また一般的な産業環境温度範囲である - 40℃～+85℃に対応する仕様とします。
    マイクロコントローラには低ノイズな DC/DC コンバータまたはリニアレギュレータを使用し、安定した電圧レールを供給します。マイコンの消費電流は処理負荷の変動に伴い大きく変化するため、負荷変動時に安定性を保つ高速な過渡応答特性が求められます。
    部品品質、放熱設計、保護機能の実装、適切な電気回路設計によって電源の信頼性が左右されます。
    DC/DC コントローラ IC は MOSFET、インダクタ、トランスといった外部パワー部品のスイッチング動作を制御する IC を指します。
    DC/DC コンバータ IC はスイッチング方式と内蔵制御回路により、直流電圧を別の電圧レベルに変換する素子です。
    Push-Pull（プッシュプル）およびFull Bridge（フルブリッジ）トポロジーは、多くの場合、非安定化方式であるため、入力電圧が安定化された電源ラインでの使用に適しています。プッシュプルトポロジーは、入力電流が複数のスイッチングトランジスタ間で分担されるため、3.3Vおよび5Vの入力電圧レールに適しています。これにより、小型のICパッケージでもより大きな電力を取り出すことが可能になります。一方、フルブリッジトポロジーは、入力電圧による負荷が複数のスイッチングトランジスタに分散されるため、5Vから24Vまでの入力電圧レールに適しています。これにより、より高い入力電圧でも効率的なスイッチング動作を実現できます。出力電圧の安定化が必要な場合や、より広い入力電圧範囲への対応、高出力アプリケーションでは、Flyback（フライバック）トポロジーが最適な選択肢となります。フライバック方式は汎用性が高く、ガルバニック絶縁（電気的絶縁）を容易に実現できるため、さまざまな用途に柔軟に対応できます。
    コンバータ IC はパワースイッチを内部に集積しており、よりコンパクトな設計が可能です。一方コントローラ IC は外部に実装したパワー部品のスイッチ動作を制御する仕様となっています。
    同期型コンバータは従来の整流ダイオードを MOSFET に置き換えた構造で、導通損失を低減し大幅に効率を向上させます。
    昇圧コンバータはインダクタ、ローサイドスイッチ、整流素子、出力フィルタにより、入力電圧をより高い出力電圧に昇圧します。
    入力電圧が目標出力電圧を上下に変動する場合に使用します。例として、充放電時に電圧が変動する 12V バッテリから安定した 12V 出力を維持したいケースに最適です。
    昇降圧コンバータは 1 つまたは複数のインダクタ、ハイ / ローサイドスイッチ、整流素子、出力フィルタを搭載し、入力電圧に対し出力電圧を昇圧・降圧両方に制御可能なトポロジです。
    選定時の重要パラメータは入力電圧範囲、出力電圧、最大負荷電流、スイッチング周波数、効率、実装サイズ、放熱性能です。これらの要素を用途の要求仕様に合わせて調整し、IC が電気的・熱的安全動作範囲内で動作し、基板実装面積を最小限に抑えるよう選定します。
    降圧コンバータは高周波のハイサイドまたはローサイドスイッチ、インダクタ、整流素子、出力フィルタを利用し、入力電圧をより低い出力電圧に変換します。
    非同期型コンバータは整流素子としてダイオードを使用するため回路構成が簡素ですが、同期型と比較して一般的に効率が低下します。
    ゲートドライバ IC は MOSFET、SiC、GaN、IGBT といったパワートランジスタのゲートを駆動する素子で、高速スイッチングに必要なゲート電圧・電流を供給します。低電力な制御信号と大電力トランジスタのゲート間を繋ぐ緩衝回路として動作し、スイッチの状態遷移を効率化するとともに、制御 IC を高圧過渡電圧から保護します。
    ブートストラップ回路は、電源電圧を上回る電圧を生成し、ハイサイドスイッチの駆動に使用する機構です。
    十分な駆動能力を持つゲートドライバは、オン・オフ状態間の遷移を高速かつ制御された状態で実行し、スイッチング損失を低減します。ゲート電圧を最適な正・負電圧まで駆動することで、スイッチングトランジスタの本来の電力性能を最大限引き出すことが可能です。
    デッドタイムはスイッチ切り替えの間に挿入する短い遅延時間です。ブリッジ構成の上下トランジスタが同時に導通する貫通電流を防止したり、プッシュプル構成のコアエネルギーを完全に放出させたりする目的で設けます。
    ゲート電荷はトランジスタをターンオン・ターンオフするのに必要な電荷量を指し、ゲートドライバに必要な駆動電流を決定するパラメータです。スイッチング速度を左右するため、設計上非常に重要な指標となります。
    ハーフブリッジ構成の 2 つのスイッチ素子を制御し、出力を能動的にプルアップ・プルダウンするドライバ IC です。
    トランジスタのゲートにはスイッチ閾値電圧と大きな寄生容量が存在するため、高速かつ効率的にスイッチングするには十分な駆動電流が必要です。完全なターンオンを実現するため、ゲート駆動電圧は閾値電圧（数 V 程度）より大幅に高い + 15～+20V まで昇圧する場合があります。また確実なターンオフ特性を確保するため、-3～-9V の負電圧を印加するケースもあります。
    帰還補償回路の不適切な設計、不良な基板レイアウト、部品選定のミスが原因となります。主に帰還ループの位相余裕が不足した場合、出力電圧が発振して安定しない現象が発生します。
    基板レイアウトの最適化、適切なグラウンド設計、シールド実装、フィルタ追加、スイッチング遷移の制御により EMI を抑制可能です。
    ノイズと電圧リップルを最小限に抑えるため、IC の電源ピンの直近に実装する必要があります。
    適切な PCB レイアウトにより寄生インダクタンスを低減し、ノイズを抑制、放熱性能を改善し、コンバータの安定動作を確保できます。
    PCB 銅箔面積の拡大、放熱ビアの活用、回路効率の最適化、通風確保により熱的な課題を抑えられます。
    PMIC は複雑な電子機器内の電力分配を制御する集積回路です。複数の電圧レギュレータ、電源シーケンス制御、バッテリー管理、システム監視機能を単一の半導体素子に統合しているのが一般的です。
    電源 IC は外部部品を多く追加する必要があり、PCB レイアウトの綿密な設計が求められます。追加部品の実装や複雑な基板レイアウトにより、全体の開発工数が増加する点が課題となります。
    DC/DC コンバータ IC、PWM コントローラ IC、ゲートドライバ IC、PMIC、リニアレギュレータ、バッテリー管理 IC が一般的です。
    パワースイッチングトランジスタは主に駆動方式、スイッチング速度、最大耐圧、許容電力によって区分されます。代表的な素子は下記の通りです。MOSFET：最大 100kHz、600V、1kW。SiC：最大 500kHz、3.3kV、100kW。GaN：最大 1MHz、900V、10kW。IGBT：最大 50kHz、6.5kV、1MW。

    MOSFET は低コストで集積が容易なため、スイッチング電源に最も多く採用されます。SiC・GaN は高周波スイッチング用途、IGBT は超大電力・高圧スイッチング用途に適しています。
    主な利点は高集積度、実装面積の小型化、効率向上です。集積型電源 IC により、各用途に特化した最適な電源ソリューションを構築できます。
    電源 IC（パワー集積回路）は電力の調整・変換を目的とした半導体素子です。帰還制御、スイッチング制御、保護機能、電源管理といった必須機能を 1 チップに集積しています。
    電源 IC は制御用半導体チップであり、パワースイッチングトランジスタを内蔵するものが多い一方、インダクタやトランスといった外部磁気部品を別途実装する必要があります。電源モジュールはこれらのディスクリート部品を 1 つのパッケージに一体化した製品で、PCB 設計を簡素化し開発期間を短縮できます。
    産業機器、通信システム、民生電子機器、車載システム、IoT デバイスなど幅広く活用されております。
    電源 IC は高効率なスイッチングトポロジ、最適化された制御アルゴリズム、高速スイッチング周波数を実現し、電力損失を最小限に抑えます。
    設計上の自由度を最大限確保したい、大量生産時のコスト削減を図りたい、独自の電源アーキテクチャを構築したい場合に電源 IC を採用することが多いです。
    パワートランスは磁気結合により回路間でエネルギーを伝達する部品で、電圧変換と絶縁用途に使用されます。コア内部の磁束を介してエネルギーを伝送し、コアにギャップを設ける必要はありません。
    トランスは 2 つ以上の巻線を持ち、回路間でエネルギーを伝送します。インダクタは単一巻線により磁界にエネルギーを蓄積する部品です。
    ガルバニック絶縁は安全性を向上させ、グランドループを防止し、高電圧から繊細な回路を保護します。入出力間に直接的な導通経路が存在しないため、商用電源電圧による使用者の感電を防ぎ、ノイズやサージによる低電圧制御回路の故障を回避する上で不可欠です。
    フェライトコア、鉄粉コアが主流で、磁気特性とスイッチング周波数の特性に応じて使い分けます。
    フォワードトランスはスイッチのオン期間中に一次巻線から二次巻線へ直接エネルギーを伝送します。フライバックトランスと異なりコアにエネルギーを蓄積しないため、スイッチオフ時の電流維持には出力インダクタが必要となります。
    フライバックトランスはフライバックトポロジでエネルギーの蓄積・伝送を担う部品です。一般的なトランスと異なり、オン期間中にエネルギーを蓄積するためコアにギャップが必要で、オフ期間に出力側へエネルギーを放出します。また回路起動後にコントローラに電源を供給する補助巻線を搭載するのが一般的です。
    一次巻線と二次巻線の巻数比が電圧変換倍率を決定します。トランス搭載コンバータでは実際の回路損失を考慮して巻線比を調整します。例えば 5V から 5V へ変換するトランスでは、1:1.11 の巻線比が採用されることが多いです。
    絶縁トランスは入力回路と出力回路の間に電気的絶縁（ガルバニックアイソレーション）を確保し、安全対策とノイズ低減を実現します。