ゲートドライバDC/DCの範囲を拡大

一方の出力は+2.5～+22.5VDCの間で、もう一方の出力は-2.5～-22.5VDCの間で設定でき、全体の正負電圧は18～25VDC（例えば+15/-3V）となり、SiCゲートを効率的に駆動できます。電圧は+/-1.5%以内に保たれ、過電圧や損傷のリスクを防ぎます。利用可能な総電力は周囲温度82°Cまででは2W、75°Cまででは2.5Wとなっています。また、有用なディレーティング電力も、パッケージの最大温度125°Cまで利用可能です。

R24C2T25の絶縁は3kVAC/1分で、超低結合容量3.5pFとコモンモード過渡耐性+/-150V/ナノ秒を備えています。このため、この部品は、高速のdV/dtおよびdI/dtパワースイッチエッジレートでハイサイドゲートドライブに電力を供給するのに最適です。

R24C2T25は、ソフトスタート、入力の低電圧誤動作防止および過電圧保護、過熱保護、出力過電力保護を備えています。出力の過電圧保護および低電圧誤作動防止も提供されており、無効なゲート電圧によってパワーデバイスがストレスを受けないようにします。パワーグッド信号は、ON/OFF制御と共に送られ、700µA未満の消費電流でデバイスをスタンバイモードにします。